- 产品型号 TP65H035G4WSQA
- 品牌 Transphorm
- RoHS 1
- 描述 650 V 46.5 GAN FET
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1 19.32
- 30 15.64
- 120 14.72
- 510 13.34
技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 47.2A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
- 功耗（最大） 187W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.8V @ 1mA
- 供应商设备包 TO-247-3
- 年级 Automotive
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 22 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1500 pF @ 400 V
- 资质 AEC-Q101
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