- 产品型号 IGT60R070D1ATMA4
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 GANFET N-CH
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 8-PowerSFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 31A (Tc)
- 功耗（最大） 125W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.6V @ 2.6mA
- 供应商设备包 PG-HSOF-8-3
- Vgs（最大） -10V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 380 pF @ 400 V
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