技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 46.5A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
- 功耗（最大） 156W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.8V @ 1mA
- 供应商设备包 TO-247-3
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 12V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 36 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1500 pF @ 400 V
相关产品
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
库存: 263
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
库存: 570
GANFET N-CH
库存: 2923
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
库存: 291
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
库存: 590
650 V 46.5 GAN FET
库存: 281
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
库存: 540
650 V 34 A GAN FET
库存: 213
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
库存: 317
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
库存: 43
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
库存: 2686
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
库存: 107
