技术细节
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 34A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
- 功耗（最大） 119W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.8V @ 700µA
- 供应商设备包 TO-263
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 24 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1000 pF @ 400 V
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