技术细节

• 包装/箱 TO-247-3
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 34.5A (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
• 功耗（最大） 143W (Ta)
• Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 1mA
• 供应商设备包 TO-247-3
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
• Vgs（最大） ±20V
• 漏源电压 (Vdss) 650 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 15 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1000 pF @ 400 V