技术细节

• 包装/箱 8-VDFN Exposed Pad
• 安装类型 Surface Mount, Wettable Flank
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 190mOhm @ 3.9A, 6V
• 功耗（最大） 125W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 12.2mA
• 供应商设备包 DFN8080-8
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6V
• Vgs（最大） +7V, -1.4V
• 漏源电压 (Vdss) 650 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 2.8 nC @ 6 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 96 pF @ 400 V