技术细节

• 包装/箱 8-LDFN Exposed Pad
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A (Tc)
• 功耗（最大） 62.5W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 1.6V @ 960µA
• 供应商设备包 PG-LSON-8-1
• Vgs（最大） -10V
• 漏源电压 (Vdss) 600 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 157 pF @ 400 V