技术细节

• 包装/箱 Module
• 安装类型 Chassis Mount
• 工作温度 175°C (TJ)
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 600A (Tc)
• 功耗（最大） 2460W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 5.6V @ 182mA
• 供应商设备包 Module
• Vgs（最大） +22V, -4V
• 漏源电压 (Vdss) 1200 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 28000 pF @ 10 V