库存:1504

技术细节

  • 包装/箱 Module
  • 安装类型 Chassis Mount
  • 工作温度 175°C (TJ)
  • 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 400A (Tc)
  • 功耗(最大) 1570W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 5.6V @ 106.8mA
  • 供应商设备包 Module
  • Vgs(最大) +22V, -4V
  • 漏源电压 (Vdss) 1200 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 17000 pF @ 10 V

相关产品


SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

库存: 0

IGBT MODULE 6500V 500A

库存: 0

650 V 95 A GAN FET

库存: 713

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

库存: 1078

Top