- 产品型号 BSM180C12P3C202
- 品牌 ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 Module
- 安装类型 Chassis Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 180A (Tc)
- 功耗（最大） 880W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 5.6V @ 50mA
- 供应商设备包 Module
- Vgs（最大） +22V, -4V
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 9000 pF @ 10 V
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