技术细节

• 包装/箱 8-VDFN Exposed Pad
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 312mOhm @ 6.5A, 6V
• 功耗（最大） 21W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 500µA
• 供应商设备包 8-PQFN (8x8)
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6V
• Vgs（最大） ±12V
• 漏源电压 (Vdss) 650 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 8.8 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 730 pF @ 400 V