- 产品型号 TP65H300G4JSGB-TR
- 品牌 Transphorm
- RoHS 0
- 描述 GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
技术细节
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 312mOhm @ 6.5A, 6V
- 功耗（最大） 41.6W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 500µA
- 供应商设备包 8-PQFN (5x6)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6V
- Vgs（最大） ±10V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 3.5 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 400 pF @ 400 V
相关产品
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
库存: 2376
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
库存: 167
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
库存: 2960
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
库存: 0
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
库存: 590
650 V 34 A GAN FET
库存: 193
650 V 34 A GAN FET
库存: 213
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
库存: 2981
GANFET N-CH 650V 29A TO220
库存: 1076
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
库存: 3791
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
库存: 6507
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
库存: 2979
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
库存: 2815
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
库存: 3926
