- 产品型号 TP65H300G4LSG-TR
- 品牌 Transphorm
- RoHS 0
- 描述 GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 3-PowerDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 312mOhm @ 5A, 8V
- 功耗（最大） 21W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.6V @ 500µA
- 供应商设备包 3-PQFN (8x8)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 8V
- Vgs（最大） ±18V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 9.6 nC @ 8 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 760 pF @ 400 V
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