- 产品型号 CGD65B200S2-T13
- 品牌 Cambridge GaN Devices
- RoHS 1
- 描述 650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 280mOhm @ 600mA, 12V
- 场效应管特性 Current Sensing
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.2V @ 2.75mA
- 供应商设备包 8-DFN (5x6)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 9V, 20V
- Vgs（最大） +20V, -1V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1.4 nC @ 12 V
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