技术细节
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 90mOhm @ 6A, 6V
- 功耗（最大） 125W
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.3V @ 5mA
- 供应商设备包 8-DFN (8x8)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6V
- Vgs（最大） 6V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 6.9 nC @ 6 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 203 pF @ 400 V
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