库存:1562

技术细节

  • 包装/箱 4-SMD, No Lead
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 26mOhm @ 18A, 5V
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 3mA
  • 供应商设备包 4-SMD
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 5V
  • Vgs(最大) +6V, -4V
  • 漏源电压 (Vdss) 200 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 6 nC @ 5 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 900 pF @ 100 V

相关产品


GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

库存: 5973

TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN

库存: 38115

TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN

库存: 1100

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

库存: 105

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

库存: 8

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

库存: 95

GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB

库存: 0

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

库存: 166

GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A

库存: 48

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

库存: 181

GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B

库存: 51

50V 10A HALF BRIDGE

库存: 11

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

库存: 32833

Top