库存:1551

技术细节

  • 包装/箱 4-SMD, No Lead
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 28mOhm @ 18A, 5V
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 3mA
  • 供应商设备包 4-SMD
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 5V
  • Vgs(最大) +6V, -4V
  • 漏源电压 (Vdss) 200 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 7 nC @ 5 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 900 pF @ 100 V

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