库存:1595

技术细节

  • 包装/箱 5-SMD, No Lead
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 80A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 4mOhm @ 50A, 5V
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 18mA
  • 供应商设备包 5-SMD
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 5V
  • Vgs(最大) +6V, -4V
  • 漏源电压 (Vdss) 40 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 2830 pF @ 20 V

相关产品


GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

库存: 73

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

库存: 82

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

库存: 8

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

库存: 62

50V 10A HALF BRIDGE

库存: 11

DUAL HIGH & LOW SIDE DRIVER

库存: 8

Top