技术细节
- 包装/箱 Die
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.2V @ 3.5mA
- 供应商设备包 Die
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6V
- Vgs（最大） +7.5V, -12V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 3.3 nC @ 6 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 123 pF @ 400 V
相关产品
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
库存: 4355
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
库存: 3614
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
库存: 167
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
库存: 450
GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
库存: 40
GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8
库存: 500
GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
库存: 180
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
库存: 100
GAN HV
库存: 4963
GANFET N-CH
库存: 2923
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
库存: 2969
GAN FET N-CH 650V TO-220
库存: 3027
