- 产品型号 IGLR60R190D1XUMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 GAN HV
- 分类 单 FET、MOSFET
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- 5000 2.79
技术细节
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12.8A (Tc)
- 功耗（最大） 55.5W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.6V @ 960µA
- 供应商设备包 PG-TSON-8-6
- Vgs（最大） -10V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 157 pF @ 400 V
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