- 产品型号 G3R160MT17D
- 品牌 GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:2544
技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 21A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 208mOhm @ 12A, 15V
- 功耗(最大) 175W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 2.7V @ 5mA
- 供应商设备包 TO-247-3
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 15V
- Vgs(最大) ±15V
- 漏源电压 (Vdss) 1700 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 51 nC @ 15 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1272 pF @ 1000 V