库存:2089

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-2
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 361pF @ 1V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 15A
  • 供应商设备包 TO-247-2
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 1700 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.8 V @ 5 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 20 µA @ 1700 V

相关产品


DIODE GEN PURP 2000V 3A DO201

库存: 2137

SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

库存: 3466

SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3

库存: 1044

SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

库存: 1528

1700V 5A TO-247-2 SIC SCHOTTKY M

库存: 738

DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2

库存: 1350

DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2

库存: 3169

DIODE SIL CARB 1.7KV 56A TO247-2

库存: 2351

DIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2

库存: 2541

DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2

库存: 520

DIODE SIL CARB 1.7KV 31A TO247-2

库存: 464

DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2

库存: 463

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

库存: 5091

Top