技术细节
- 包装/箱 TO-247-2
- 安装类型 Through Hole
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 反向恢复时间 (trr) 0 ns
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 电容@Vr, F 1227pF @ 0V, 1MHz
- 电流 - 平均整流 (Io) 40A
- 供应商设备包 TO-247-2
- 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
- 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） 1700 V
- 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 1.7 V @ 10 A
- 电流 - 反向漏电流@Vr 18 µA @ 1700 V
相关产品
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
库存: 431
DIODE GP 100V 250MA DFN1006-2A
库存: 17385
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
库存: 1564
5A 1700V SIC, SCHOTTKY DIODE
库存: 0
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
库存: 1044
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
库存: 1013
DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7
库存: 0
DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
库存: 138
DIODE SIL CARB 1.7KV 122A TO247
库存: 145
DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247
库存: 46
DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2
库存: 463
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
库存: 0
