- 产品型号 FDB86102LZ
- 品牌 Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 800 1.01
- 1600 0.85
- 2400 0.81
- 5600 0.78
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 8.3A (Ta), 30A (Tc)
- 25°C时的电阻值 24mOhm @ 8.3A, 10V
- 套圈材料 3.1W (Ta)
- 势垒类型 3V @ 250µA
- 最大交流电压 TO-263 (D2PAK)
- 皮带长度 4.5V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 100 V
- 21 nC @ 10 V
- 1275 pF @ 50 V
相关产品
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
库存: 800
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
库存: 6918
MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
库存: 19612
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
库存: 3982
MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
库存: 605
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
库存: 0
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
库存: 800
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
库存: 5257
