- 产品型号 G080N10M
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1000 0.91
- 2000 0.86
- 5000 0.83
- 10000 0.8
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 180A (Tc)
- 25°C时的电阻值 7.5mOhm @ 30A, 10V
- 套圈材料 370W (Tc)
- 势垒类型 2.5V @ 250µA
- 最大交流电压 TO-263
- 皮带长度 4.5V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 100 V
- 107 nC @ 4.5 V
- 13950 pF @ 50 V
相关产品
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
库存: 4517
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
库存: 70
MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
库存: 942
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
库存: 788
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
库存: 8000
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
库存: 694
MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
库存: 800
MOSFET N-CH 100V 150A TO263
库存: 3730
