- 产品型号 GT045N10M
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:2194
定价:
- 800 1.02
- 1600 0.86
- 2400 0.82
- 5600 0.79
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 120A (Tc)
- 25°C时的电阻值 4.5mOhm @ 30A, 10V
- 套圈材料 180W (Tc)
- 势垒类型 4V @ 250µA
- 最大交流电压 TO-263
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 100 V
- 60 nC @ 10 V
- 4198 pF @ 50 V
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