- 产品型号 GC11N65K
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
- 2500 0.74
- 5000 0.71
- 12500 0.69
技术细节
- 安装类型 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 11A (Tc)
- 25°C时的电阻值 360mOhm @ 5.5A, 10V
- 套圈材料 179W (Tc)
- 势垒类型 4V @ 250µA
- 最大交流电压 TO-252
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±30V
- 650 V
- 21 nC @ 10 V
- 901 pF @ 50 V
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