库存:1887

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-2
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 2250pF @ 1V, 100kHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 61A
  • 供应商设备包 TO-247-2
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 1200 V
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 200 µA @ 1200 V

相关产品


DIODE SIL CARB 1.2KV 128A TO247

库存: 594

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

库存: 399

DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2

库存: 0

1200V 40A SIC SBD

库存: 835

DIODE SIL CARB 1.2KV 77A TO247-2

库存: 1186

DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2

库存: 600

DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247

库存: 719

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

库存: 433

Top