技术细节
- 包装/箱 TO-247-2
- 安装类型 Through Hole
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 电容@Vr, F 2809pF @ 0V, 1MHz
- 电流 - 平均整流 (Io) 128A
- 供应商设备包 TO-247-2
- 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
- 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） 1200 V
- 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 1.8 V @ 40 A
- 电流 - 反向漏电流@Vr 300 µA @ 1200 V
相关产品
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
库存: 1564
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
库存: 306
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
库存: 1363
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
库存: 742
DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2
库存: 151
DIODE SIL CARB 1.2KV 61A TO247-2
库存: 387
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
库存: 404
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
库存: 706
DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
库存: 250
DIODE SIL CARB 1.7KV 122A TO247
库存: 145
DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247
库存: 719
DIODE SIL CARB 1.7KV 135A TO247
库存: 339
DIODE SIC 1.2KV 128A TO247AC
库存: 824
