技术细节

• 包装/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 600mA (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V
• 功耗（最大） 2.5W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 50µA
• 供应商设备包 TO-92-3
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
• Vgs（最大） ±30V
• 漏源电压 (Vdss) 600 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 12 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 235 pF @ 50 V