技术细节
- 包装/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
- 功耗（最大） 350mW (Ta)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 1mA
- 供应商设备包 TO-92
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 60 pF @ 25 V
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