- 产品型号 FDB86102LZ
- 品牌 Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:2300
技术细节
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.3A (Ta), 30A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 24mOhm @ 8.3A, 10V
- 功耗(最大) 3.1W (Ta)
- Vgs(th)(最大值)@Id 3V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-263 (D2PAK)
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 21 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1275 pF @ 50 V