- 产品型号 G2R1000MT33J-TR
- 品牌 GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
- 分类 单 FET、MOSFET
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技术细节
- 包装/箱 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V
- 功耗（最大） 74W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 2mA
- 供应商设备包 TO-263-7
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- Vgs（最大） +20V, -5V
- 漏源电压 (Vdss) 3300 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 21 nC @ 20 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 238 pF @ 1000 V
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