技术细节

• 包装/箱 TO-247-4
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 123A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 16.5mOhm @ 60A, 18V
• 功耗（最大） 552W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 5.5V @ 48mA
• 供应商设备包 PG-TO247-4-U04
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 15V, 18V
• Vgs（最大） +20V, -7V
• 漏源电压 (Vdss) 2000 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 246 nC @ 18 V