- 产品型号 G080P06M
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:10500
技术细节
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 195A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
- 功耗(最大) 294W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-263
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 15870 pF @ 30 V