技术细节

• 包装/箱 TO-220-2
• 安装类型 Through Hole
• 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
• 电容@Vr, F 323pF @ 1V, 1MHz
• 电流 - 平均整流 (Io) 10A
• 供应商设备包 TO-220-2
• 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
• 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） 650 V
• 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 1.7 V @ 10 A
• 电流 - 反向漏电流@Vr 50 µA @ 650 V