- 产品型号 BSDD08G65E2
- 品牌 J.W. Miller / Bourns
- RoHS 1
- 描述 DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO252
- 分类 单二极管
-
PDF
库存:6490
技术细节
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型 Surface Mount
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 反向恢复时间 (trr) 0 ns
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 电容@Vr, F 267pF @ 1V, 1MHz
- 电流 - 平均整流 (Io) 8A
- 供应商设备包 TO-252 (DPAK)
- 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
- 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 650 V
- 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.7 V @ 8 A
- 电流 - 反向漏电流@Vr 40 µA @ 650 V