- 产品型号 G65P06D5
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 65A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
- 功耗（最大） 104W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 250µA
- 供应商设备包 8-DFN (4.9x5.75)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
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