- 产品型号 GT065P06T
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:1500
技术细节
- 包装/箱 TO-220-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 82A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
- 功耗（最大） 150W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-220
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 62 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 5335 pF @ 30 V
相关产品
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
库存: 801
MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
库存: 9000
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
库存: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
库存: 10000
P-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
库存: 5424
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
库存: 2462
