- 产品型号 G1K1P06HH
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 TO-261-4, TO-261AA
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 110mOhm @ 4A, 10V
- 功耗（最大） 3.1W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA
- 供应商设备包 SOT-223
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 11 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 981 pF @ 30 V
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