- 产品型号 IMYH200R050M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 SIC DISCRETE
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 TO-247-4
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 48A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 64mOhm @ 20A, 18V
- 功耗（最大） 348W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 5.5V @ 12.1mA
- 供应商设备包 PG-TO247-4-U04
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 15V, 18V
- Vgs（最大） +20V, -7V
- 漏源电压 (Vdss) 2000 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 82 nC @ 18 V
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