技术细节
- 包装/箱 TO-247-4
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
- 功耗（最大） 188W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 10mA
- 供应商设备包 TO-247-4
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- Vgs（最大） +25V, -10V
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 61 nC @ 20 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1377 pF @ 1000 V
相关产品
GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
库存: 19
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
库存: 3429
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
库存: 706
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
库存: 60
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
库存: 55
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
库存: 1399
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
库存: 261
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
库存: 104
