技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
- 功耗（最大） 188W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 10mA
- 供应商设备包 TO-247-3
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- Vgs（最大） +25V, -10V
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 58 nC @ 20 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1377 pF @ 1000 V
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