- 产品型号 K4B1G1646I-BYMA000
- 品牌 Samsung Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1
- 分类 记忆
-
PDF
技术细节
- 包装/箱 96-TFBGA
- 安装类型 Surface Mount
- 内存大小 1Gbit
- 内存类型 Volatile
- 工作温度 0°C ~ 95°C
- 电压 - 电源 1.35V
- 时钟频率 933 MHz
- 内存格式 DRAM
- 内存接口 Parallel
- 记忆组织 64M x 16
- DigiKey 可编程 Not Verified
相关产品
DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
库存: 8000
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
库存: 1953
LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
库存: 5120
LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
库存: 2560
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
库存: 0
DDR1 256Mb(16MX16)400Mhz 5ns CL3
库存: 6000
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
库存: 0
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA
库存: 0
Flash NOR Parallel , 128Mb, 3V,
库存: 1728
FLASH NOR 8MB 3V TSOP (BTM BT-BL
库存: 768
IC DSP FIX/FLOAT POINT 625FCBGA
库存: 60
IC REG BUCK ADJ 3A 14VQFN
库存: 6259
