- 产品型号 K4B4G1646E-BYK000
- 品牌 Samsung Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- 分类 记忆
-
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技术细节
- 包装/箱 96-TFBGA
- 安装类型 Surface Mount
- 内存大小 4Gbit
- 内存类型 Volatile
- 工作温度 0°C ~ 95°C
- 电压 - 电源 1.35V
- 时钟频率 800 MHz
- 内存格式 DRAM
- 内存接口 Parallel
- 记忆组织 256M x 16
- DigiKey 可编程 Not Verified
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