- 产品型号 GC11N65K
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:3717
技术细节
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
- 功耗(最大) 179W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-252
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±30V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 21 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 901 pF @ 50 V