库存:2005

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-2
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 1101pF @ 1V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 55A
  • 供应商设备包 TO-247-2
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 1200 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.8 V @ 30 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 20 µA @ 1200 V

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