库存:1601

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-2
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 735pF @ 1V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 49A
  • 供应商设备包 TO-247-2
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 650 V

相关产品


SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

库存: 1603

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

库存: 86

DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7

库存: 663

DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2

库存: 505

DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2

库存: 1356

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

库存: 144

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMA-FL

库存: 4689

DIODE SIL CARB 650V 84A TO247AC

库存: 250

750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

库存: 1108

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2

库存: 1151

Top