技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 63A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 52mOhm @ 40A, 20V
- 功耗（最大） 322W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 10mA
- 供应商设备包 TO-247-3
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- Vgs（最大） +25V, -10V
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 118 nC @ 20 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3192 pF @ 1000 V
相关产品
1200V 40MOHM SIC MOSFET
库存: 289
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
库存: 27
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
库存: 1732
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
库存: 1013
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
库存: 3429
SIC DISCRETE
库存: 259
SIC DISCRETE
库存: 225
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
库存: 2
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
库存: 444
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
库存: 433
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
库存: 350
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
库存: 738
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
库存: 1584
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
库存: 0
