技术细节

• 包装/箱 3-XFDFN
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V
• 功耗（最大） 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.1V @ 250µA
• 供应商设备包 DFN1006B-3
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V, 10V
• Vgs（最大） ±20V
• 漏源电压 (Vdss) 60 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 23.6 pF @ 10 V